http://biph.kiev.ua/en?action=history&feed=atom&title=%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D0%B0%D1%87%D0%B0_%D1%82%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D0%BE%D0%B2_%D0%B4%D0%BE%D0%BA%D0%BB%D0%B0%D0%B4%D0%BE%D0%B2 2026-10-16T07:23:58Z Revision history for this page on the wiki MediaWiki 1.18.1 http://biph.kiev.ua/en?title=%D0%9F%D0%BE%D0%B4%D0%B0%D1%87%D0%B0_%D1%82%D0%B5%D0%B7%D0%B8%D1%81%D0%BE%D0%B2_%D0%B4%D0%BE%D0%BA%D0%BB%D0%B0%D0%B4%D0%BE%D0%B2&diff=6489&oldid=prev 2013-05-08T12:29:01Z

<p>Створена сторінка: &lt;pre&gt;Подача тезисов докладов Планируется издание сборника тезисов докладов конференци...</p> <p><b>New page</b></p><div>&lt;pre&gt;Подача тезисов докладов<br /> <br /> <br /> Планируется издание сборника тезисов докладов конференции.<br /> Тезисы докладов принимаются по таким научным направлениям (кластерам):<br /> кластер информационных технологий, <br /> кластер энергоэффективных технологий, <br /> кластер космических технологий и телекоммуникаций, <br /> кластер биомедицинских технологий, <br /> кластер ядерных технологий.<br /> <br /> Тезисы докладов, оформленные согласно приведенному образцу, просим присылать в НПК «Наука» до 13-го мая 2013 г. на электронный адрес:<br /> <br /> nauka_concern@ukr.net<br /> (с пометкой «Сколково» и наименованием кластера в теме письма)<br /> <br /> Контактный телефон в Киеве: +38 (044) 482-05-11 Юрилина Наталья Андреевна.<br /> <br /> Текст тезисов на русском языке представляется в электронном виде как присоединенный файл. <br /> Требования к оформлению тезисов:<br /> - объем – 1 полная страница формата А4, набранного в текстовом редакторе Microsoft Word;<br /> - поля – 30 мм; абзацный отступ 1 см;<br /> - гарнитура: Times New Roman, размер шрифта 12, интервал между строк – одинарный;<br /> - формулы, символы, переменные, встречающиеся в тексте, должны быть подготовлены в редакторе MathType; <br /> - рисунки и таблицы должны быть четкими, компактными. Редакторы: СorelDraw, Paint.<br /> Тезисы докладов печатаются в авторском варианте без редактирования.<br /> <br /> <br /> <br /> <br /> Образец оформления тезисов:<br /> <br /> Кластер энергоэффективных технологий<br /> <br /> Механизмы формирования электростатического изображения<br /> на тонких диэлектриках<br /> <br /> М.С.Дунаевский1, В.А.Литвиненко2<br /> <br /> 1)Институт физики полупроводников НАН Украины 03028, Киев, просп. Науки, 45, Украина.<br /> М.С.Дунаевский: Е-таil:…<br /> 2)Харьковский национальный университет радиоэлектроники 61166, Харьков, пр. Ленина, 22, Украина.<br /> В.А.Литвиненко: E-mail: …<br /> <br /> Дается обзор оригинальных работ [1-5] по исследованию механизмов формирования электростатического изображения на тонких диэлектрических слоях. Рассматривается связь электростатической литографии с проблемами получения систем сохраняемой памяти высокой плотности.<br /> <br /> 1. М.С.Дунаевский, П.А.Дементьев, В.А.Литвиненко. ФТП, 37, 353 (2004).<br /> 2. …<br /> <br /> Контактный телефон в следующем формате: +38 (044) 482-05-11<br /> <br /> <br /> <br /> &lt;/pre&gt;</div>

Vano